China reduz defasagem tecnológica em memórias de alta capacidade em relação à Coreia do Sul

A indústria de semicondutores da China reduziu a defasagem tecnológica em relação à Coreia do Sul para três anos no segmento de memórias de alta capacidade (HBM). O avanço é impulsionado por uma estratégia agressiva do governo chinês e pela CXMT, que atingiu a paridade técnica na produção de chips HBM3, terceira geração de memórias utilizadas em GPUs de inteligência artificial.

Embora a CXMT consiga fabricar a tecnologia HBM3, a empresa ainda enfrenta dificuldades na taxa de produção. Para expandir sua capacidade, a fabricante planeja captar mais de 4 bilhões de dólares por meio de uma oferta pública inicial (IPO) e projeta a produção de 300 mil wafers de 12 polegadas até o encerramento de 2026.

Esse movimento ocorre em um cenário de escassez global de memórias, provocada pela alta demanda por chips de IA, enquanto a China busca alternativas para contornar as sanções dos Estados Unidos sobre máquinas de litografia de ultra-violeta extrema (EUV).

A tecnologia HBM3 é a base das GPUs H100 da NVIDIA, produto que sofreu restrições de venda para o mercado chinês. Em resposta às normas americanas, a NVIDIA desenvolveu a variante H20 para a China, que equipa 96 GB de memória HBM3, superando os 80 GB da versão H100.

Apesar do progresso da CXMT, Samsung e SK Hynix mantêm a liderança com várias gerações de vantagem. Os chips mais recentes da NVIDIA já utilizam a memória HBM3e, e a previsão é que fabricantes de GPUs de IA firmem contratos para a HBM4 até o fim deste ano. Esta nova geração quase dobra a capacidade de transporte de dados em relação à HBM3. Além da memória, a fabricação de GPUs de IA depende de processos de embalagens avançadas, atualmente concentrados na TSMC, em Taiwan.