Micron projeta que a escassez de memórias para inteligência artificial deve durar até depois de 2026
A Micron projeta que a escassez de memórias HBM, NAND e DRAM persista até depois de 2026 devido à dificuldade de ampliar a oferta de chips para IA. Para mitigar o problema, a empresa integra a litografia EUV à fabricação de DRAM e acelera a produção do HBM4
A escassez de memórias nos segmentos de HBM, NAND e DRAM deve se estender para além de 2026, conforme projeções da Micron apresentadas durante a 54ª Conferência Anual Global de Tecnologia, Mídia e Comunicações do JPMorgan, em Boston. A persistência desse cenário decorre da dificuldade em ampliar a oferta de chips de alto desempenho, essenciais para a operação de modelos de inteligência artificial.
A limitação do suprimento é impulsionada pela redução na taxa de ganho de desempenho entre as gerações de chips e pelo aumento do tamanho físico das versões mais recentes de HBM. Para enfrentar esses desafios, a Micron está integrando a litografia EUV à fabricação de memórias DRAM. Devido à demanda por IA, o nó de 1-gamma deve se tornar o de maior volume de produção de wafers na história da companhia.
No segmento de HBM, utilizado em GPUs de IA por meio do empilhamento de módulos DRAM, a produção do HBM4 avança com uma velocidade duas vezes superior à do HBM3. A previsão é que a fabricação da memória HBM4E, de próxima geração, comece em 2027, utilizando amostras iniciais baseadas no nó de produção 1-gamma.
Paralelamente, a Micron expandiu sua fatia de mercado em unidades de estado sólido (SSDs), impulsionada pelo crescimento das cargas de trabalho de inferência e das janelas de contexto de IA. A estratégia atual da empresa foca no desenvolvimento de produtos personalizados em colaboração direta com clientes, substituindo a oferta de soluções padronizadas.
