Fabricantes chineses desenvolvem nova memória DRAM para ampliar a performance de inteligência artificial em smartphones
Fabricantes chineses de smartphones desenvolvem a memória DRAM de baixa latência e ampla (LLW) para ampliar o desempenho de IAs integradas. A tecnologia prevê redução de 50% no consumo energético e ganho de performance de 1,5 vez, com previsão de novidades para o segundo semestre de 2027
Fabricantes de smartphones chineses estariam desenvolvendo a memória DRAM de baixa latência e ampla (LLW), uma solução customizada para superar as limitações de desempenho da memória RAM LPDDR. O projeto utiliza um design integrado que, embora não seja classificado como HBM (High Bandwidth Memory) genuína, busca eliminar gargalos de processamento, elevando a performance e reduzindo o consumo energético.
A implementação dessa tecnologia visa, primordialmente, viabilizar a execução de capacidades de inteligência artificial integradas, que atualmente são limitadas nos dispositivos móveis pela ausência de HBM, cuja adoção é dificultada pelo espaço reduzido nos aparelhos e por questões térmicas. Estimativas indicam que a LLW pode entregar um desempenho 1,5 vez superior, com uma redução de 50% no gasto de energia, possivelmente em comparação ao padrão LPDDR5X.
Quanto ao cronograma de lançamento, a expectativa para a chegada de versões mais rápidas dessa memória em 2026 é baixa, com maiores probabilidades de novidades apenas no segundo semestre de 2027.
Paralelamente, outras frentes de inovação buscam aprimorar a experiência de IA nos smartphones. A Samsung trabalha no desenvolvimento de HBM dedicada para dispositivos móveis por meio de embalagens complexas. Há também indícios de que a Huawei e a Apple planejam a integração dessa tecnologia, sendo que a segunda estaria focada no iPhone 20. No campo dos chipsets, a Qualcomm colabora com produtores de memória chineses para aplicar a DRAM 3D às unidades de processamento neural (NPUs).
