Samsung desenvolve memórias HBM5 com nova tecnologia de resfriamento para aumentar o desempenho térmico
A Samsung desenvolve memórias HBM5 com a tecnologia de resfriamento HPB para dissipar o calor em arquiteturas de DRAM. O sistema será integrado ao substrato da camada de memória, com previsão de chegada em GPUs entre 2028 e 2029
A Samsung iniciou o desenvolvimento da próxima geração de memórias HBM5, com a implementação de uma tecnologia de resfriamento denominada HPB (Caminho de Bloco de Calor). A novidade, apresentada durante o Computex, visa solucionar a dissipação térmica em arquiteturas de DRAM cada vez mais densas e velozes, respondendo a movimentos semelhantes de concorrentes como a SK Hynix, que introduziu a funcionalidade iHBM com elementos de resfriamento integrados (ICEs).
No design da Samsung, o HPB é posicionado no mesmo substrato que a camada de DRAM (Core Die), sendo conectado por meio de um PHY D2D. Com a mesma altura da camada de memória, essa estrutura atua capturando o calor excedente gerado pelos componentes para dissipá-lo de forma mais eficiente através da placa de resfriamento.
Enquanto a SK Hynix utiliza a tecnologia MR-RUF para a produção de suas memórias iHBM, a Samsung deve aplicar processos internos proprietários para viabilizar o HPB. A corrida tecnológica entre a Samsung, a SK Hynix e a Micron — as três principais fornecedoras de DRAM para os data centers de inteligência artificial globais — foca agora na integração desses sistemas de resfriamento para a HBM5, visando elevar o desempenho e a eficiência energética.
A chegada das primeiras GPUs equipadas com memória HBM5 está prevista para o período entre 2028 e 2029. Esse intervalo permite que as fabricantes otimizem os projetos e realizem testes de validação junto a diversos parceiros antes do lançamento comercial.
